介電材料具有極低的導電性，用於將導電特性彼此隔離。典型的層內電介質 （ILD） 包括二氧化矽 （a-SiO2：H），可以摻雜 （C 或 F） 或多孔以降低其介電常數 （k）。

介電蝕刻是半導體器件和電路生產中的關鍵工藝。在晶圓加工過程中，過孔（穿過介電層的垂直路徑）或溝槽（用作器件結構一部分的凹槽）在清潔ILD然後用導體填充之前被蝕刻到ILD中。這些圖案化過程在重複時形成微觀電路。

介質蝕刻用於晶圓加工線的前端和後端;前端確定設備功能，而後端創建連接，為設備或封裝供電。

介電蝕刻的挑戰

隨著晶元中的晶體管和電容器不斷變小，它們需要較低的介電常數來保持快速開關速度。更小的特徵意味著介電蝕刻需要更多的步驟，因為圖案化過程需要多次重複。其中許多工藝涉及高反應性化學物質和高能離子轟擊晶圓表面以產生孔、通孔和溝槽。為了確保設備和工程部件在蝕刻過程中安全且正常運行，必須採用耐用且高度耐用的密封解決方案。

在介電蝕刻工具中，密封件通常用於腔室密封、氣體入口/排氣口、腔室門和晶圓卡盤。在許多蝕刻室環境中，防止氧氣注入等離子體是關鍵，這些環境通常會分解非抗性材料並導致有害的顆粒，從而導致晶元缺陷。密封件應具有卓越的耐化學性、等離子體中最少的顆粒產生和較長的使用壽命，以最大限度地減少維護和停機時間。

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