介电材料具有极低的导电性，可用于将导电特征相互隔离。典型的层内电介质（ILD）包括二氧化硅（a-SiO2:H），可掺杂（C或F）或制成多孔状以降低其介电常数（k）。

电介质蚀刻是半导体器件和电路生产中的关键工艺。在晶圆加工过程中，通孔（穿过介质层的垂直通道）或沟槽（作为器件结构一部分的沟槽）被蚀刻到ILD中，然后进行清洗并填充导体。这些图案化过程在重复过程中形成微观电路。

介质刻蚀可用于晶圆加工生产线的前端和后端；前端用于确定器件特征，而后端用于为器件或封装供电建立连接。

电介质蚀刻的挑战

随着芯片中的晶体管和电容器不断变小，它们需要更低的介电常数来保持快速开关速度。更小的特征意味着需要更多的电介质蚀刻步骤，因为图案化过程需要重复多次。其中许多工艺涉及高活性化学物质和高能离子轰击晶圆表面，以形成孔、通孔和沟槽。为确保设备和工程部件在蚀刻过程中安全和正常工作，必须采用耐用和高耐受性的密封解决方案。

在电介质蚀刻工具中，密封件通常用于蚀刻室密封、气体进入/排气口、蚀刻室门和晶片卡盘。在许多蚀刻室环境中，防止注入氧气的等离子体是关键，因为等离子体通常会分解不耐腐蚀的材料并造成有害的颗粒，从而导致芯片缺陷。密封件应具有优异的耐化学性，在等离子体中产生的微粒最少，使用寿命长，以最大限度地减少维护和停机时间。

Chemraz® XPE--电介质蚀刻应用的理想密封解决方案

为了保护电介质蚀刻工艺中的关键部件，格林特威推荐使用Chemraz® XPE，这是一种先进的弹性体，具有优异的氧等离子能力和抗侵蚀、抗开裂和抗颗粒化能力。这种材料为半导体行业提供了在氧气环境中快速腐蚀的传统产品的替代品。XPE具有优异的耐等离子氧性能，可帮助半导体工厂提高芯片良率，最大限度地提高产量，同时最大限度地减少产品重量损失。Chemraz® XPE用途广泛，具有很强的耐腐蚀性，可用于狭缝阀和反应室密封、端点窗口、气体入口/出口密封、闸阀和隔离阀密封、反应物输送系统密封、反应室盖密封等。XPE密封件已被广泛应用于全球各种辩识蚀刻设备和先进的生产工艺中，为许多客户提供了更高的MTBR（平均维修间隔时间），从而减少了停机时间和维护成本。

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