介电材料具有极低的导电性，可用于将导电特征相互隔离。典型的层内电介质（ILD）包括二氧化硅（a-SiO2:H），可掺杂（C或F）或制成多孔状以降低其介电常数（k）。

电介质蚀刻是半导体器件和电路生产中的关键工艺。在晶圆加工过程中，通孔（穿过介质层的垂直通道）或沟槽（作为器件结构一部分的沟槽）被蚀刻到ILD中，然后进行清洗并填充导体。这些图案化过程在重复过程中形成微观电路。

介质刻蚀可用于晶圆加工生产线的前端和后端；前端用于确定器件特征，而后端用于为器件或封装供电建立连接。

电介质蚀刻的挑战

随着芯片中的晶体管和电容器不断变小，它们需要更低的介电常数来保持快速开关速度。更小的特征意味着需要更多的电介质蚀刻步骤，因为图案化过程需要重复多次。其中许多工艺涉及高活性化学物质和高能离子轰击晶圆表面，以形成孔、通孔和沟槽。为确保设备和工程部件在蚀刻过程中安全和正常工作，必须采用耐用和高耐受性的密封解决方案。

在电介质蚀刻工具中，密封件通常用于蚀刻室密封、气体进入/排气口、蚀刻室门和晶片卡盘。在许多蚀刻室环境中，防止注入氧气的等离子体是关键，因为等离子体通常会分解不耐腐蚀的材料并造成有害的颗粒，从而导致芯片缺陷。密封件应具有优异的耐化学性，在等离子体中产生的微粒最少，使用寿命长，以最大限度地减少维护和停机时间。

Chemraz® XPE--电介质蚀刻应用的理想密封解决方案

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