絕緣材料因其導電率極低，用於隔絕各導電元件。典型的內層絕緣層（ILD）包含二氧化矽（a-SiO₂:H），此材料可透過摻雜（碳或氟）或製成多孔結構來降低其介電常數（k）。

介電層蝕刻是半導體元件與電路製造中的關鍵製程。在晶圓加工過程中，會先在絕緣層內蝕刻貫穿介電層的垂直通道（貫孔）或作為元件結構部分的溝槽（溝槽），隨後進行清潔並填充導體材料。這些圖案化製程透過反覆操作，最終形成微觀電路結構。

介電蝕刻技術應用於晶圓製程線的前端與後端；前端製程決定元件結構特徵，後端製程則建立供電或封裝所需的電路連接。

介電層蝕刻的挑戰

隨著晶片中的電晶體與電容器持續微型化，為維持高速切換效能，其介電常數需更低。 微細化結構意味著介電層蝕刻需增加更多步驟，因製程需反覆進行多次圖案化處理。這些製程多涉及高反應性化學物質，並以高能離子轟擊晶圓表面以形成孔洞、貫通孔及溝槽。為確保元件與工程部件在蝕刻過程中安全且功能正常，必須採用耐用且高抗性的密封解決方案。

在介電蝕刻設備中，密封件通常應用於腔室密封、氣體進/排出口、腔室門及晶圓夾具。在許多蝕刻腔室環境中，抵禦含氧等離子體的侵蝕至關重要——此類等離子體常會分解抗性不足的材料並產生有害微粒，導致晶片瑕疵。理想的密封件應具備卓越的耐化學性、在等離子體環境中產生極少微粒，並擁有長效使用壽命，以最大限度減少維護需求與停機時間。

認識 Chemraz® XPE——介電質蝕刻應用的理想密封解決方案

為保護介電蝕刻製程中的關鍵格瑞特維 Chemraz® XPE——這是一種具備優異氧氣等離子體耐受性，且能有效抵抗侵蝕、開裂及顆粒化的先進彈性體。此材料為半導體產業提供了替代方案，可取代那些在氧氣環境下容易快速侵蝕的傳統產品。憑藉其優異的 O2 等離子體耐受性，XPE 有助於半導體廠提升晶片良率、最大化產能，同時將產品重量損失降至最低。 Chemraz® XPE 用途廣泛且具備極高耐受性，可應用於縫隙閥與腔室密封件、終點視窗、氣體進出口密封件、閘閥與隔離閥密封件、反應物輸送系統密封件、反應腔室蓋密封件等。XPE 密封件已廣泛應用於全球各類介電蝕刻設備及先進生產製程中，為眾多客戶帶來更高的平均維修間隔時間 (MTBR)，從而減少停機時間並降低維護成本。

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