透過性能更優異的密封件提升半導體元件良率
尼克·皮亞琴特,格瑞特維 產品專家
全球對晶片的龐大需求——從汽車、手機、燈泡到各類電子產品皆然——已推動晶片製造產能擴增。近期產業動態即為明證:廠商紛紛宣布斥資數十億美元採購新設備,並規劃全球晶圓廠動工興建。

面對全產業的晶片短缺,作為衡量晶圓廠效率的指標,裝置良率的重要性已達前所未見的高度。
裝置良率可能直接受到微粒影響——這些微粒是厚度僅為頭髮幾分之一的微小異物,可能污染晶圓並對裝置良率造成負面影響。這些微粒在半導體製程中產生,源於業界常見的劇烈等離子體環境,該環境在使用過程中會侵蝕耗材部件。 因此,用於生產半導體的設備與零件皆須接受嚴格的微粒產生檢測,連設備中如O型環密封件等最微小的組件也不例外。
高性能密封材料製造商格瑞特維(格瑞特維)採取了積極主動的措施,致力於為晶圓廠提供顆粒產生量最低的密封件。為了更有效地篩選適用材料格瑞特維 結合等離子處理、動態循環測試及顆粒檢測的測試程序。
與競爭對手的材料相比格瑞特維 Chemraz® G20 在動態應用測試中展現出更優異的顆粒性能。
彈性體密封件安裝於鋁製圓盤中,並在250°C下承受具侵蝕性的NF3或O2等離子體環境。隨後密封件在角閥中進行循環操作並加熱至250°C,同時由下游偵測器進行原位粒子測量。
此測試方法用於次世代材料開發階段,以確保晶圓廠所用材料有助於減少產生的微粒並提升裝置良率。
Chemraz® G20作為新近商業化的全氟彈性體(FFKM)材料,是首批在開發過程中採用此測試的材料之一。如下方測試結果所示,在60,000次循環的嚴苛測試中,Chemraz® G20產生的顆粒數量較競爭基準材料減少數個數量級。 鑑於動態應用可能成為缺陷相關顆粒的主要來源,提升O型環性能有助於提高產量。

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